【摘 要】
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为解决裸（SiC）P在应用中存在的不足,提出（SiC）P表面低成本化学改性的思路。采用简单的化学镀技术,改进氧化、亲水、敏化和活化的前处理工艺,对（SiC）P进行表面化学改性。确定了最佳
【机 构】
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黑龙江工程学院材料与化学工程系,哈尔滨工程大学材料科学与工程系
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为解决裸（SiC）P在应用中存在的不足,提出（SiC）P表面低成本化学改性的思路。采用简单的化学镀技术,改进氧化、亲水、敏化和活化的前处理工艺,对（SiC）P进行表面化学改性。确定了最佳的试验工艺,获得了镀层连续、无光滑（SiC）P裸露的较高质量的碳化硅复合粉体[简写为（Ni/SiC）P],通过SEM、EDS、XRD、TEM等测试,结果表明：改性后的（Ni/SiC）P较改性前的（SiC）P导电性有所提高,形貌、组成发生改变。同时分析了热处理对（Ni/SiC）P的影响,结果表明：随着温度的升高,（Ni/Si
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