Photoreflectance相关论文
Determination of polarity of c-plane ZnO single crystal by contactless electroreflectance and photor
Direction of polarization fields are different on Zn-face and O-face of c-plane ZnO wurtzite single crystal due to the i......
,Comparison between photoluminescence spectroscopy and photoreflectance spectroscopy in CuGaSe2 epil
Photoluminescence (PL) spectroscopy and photoreflectance (PR) spectroscopy are very useful techniques for studying the p......
UHVCVD-grown Si/Si1- xGex/Si heterostructure was investigated by Photoreflectance spectroscopy (PR). The principle of PR......
本文报道了 GaAs 掺杂超晶格的室温 PR 谱研究结果.在1.43eV～1.52eV 能区观测到了与量子化电子或空穴态有关的一系列 PR 谱结构,并......
UHVCVD-grown Si/Si1- xGex/Si heterostructure was investigated by Photoreflectance spectroscopy (PR). The principle of PR......
采用光调制反射光谱（ＰＲ）研究了（０００１）晶向蓝宝石衬底上ＭＯＣＶＤ方法生长的单晶六角ＧａＮ薄膜的室温光学性质，测得六角ＧａＮ薄膜的禁带宽度为３．４００ｅＶ，对ＰＲ谱的调制机理进行了......
我们测量了两个GaSb/AlSb多层量子势阱在77K时的光调制反射谱。在Г点（GaSb）亚带间的能量,理论与实验符合得甚好,这种一致性可延伸到......
在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱。在考虑了样品中晶格中失配所致的应力效应后对......
通过直接观察n型GaAs-电解液结表面势垒的电压,对光反射和电反射的内在规律进行了比较.引入一个新的参数,来精细地区别这两种调制.......
测量了分子束外延(MBE)生长的调制掺杂n-GaAlAs/GaAs的光调制反射光谱(PR),研究了光谱结构和三角阱中子能级的关系以及光反射调制......
研究了分子束外延GaAs/Si光致发光谱的激发强度和温度依赖关系。确定出2个本征发光峰,分别对应于导带至m_J=±3/2和m_J=±......
报道用光调制反射谱和光致发光方法对非对称的GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As耦合双量子阱研究的实验结果。在300K和77K下测量了光调制反......
报道一种通过转动样品来实现空间调制微分反射光谱技术，给出ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱和应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱在室温下的ＤＲ谱实验测量结果，并与光调制反射谱实验......
用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的ＧａＡＳ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ异质结，发现不同工的ＧａＡｓ复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响。由ＧａＡｓ带间跃迁的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｅｙｓｈ效应计算出表面层表......
