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采用直流磁控溅射在SiO2／n—Si（111）衬底上沉积了Al薄膜，经过光刻、刻蚀形成源漏极，再采用射频磁控溅射沉积ZnO薄膜作为有源层，成功制备了底栅顶接触结构的ZnO-TFTr，Al膜厚135nm，ZnO膜厚110nm。实验结果表明，薄膜晶体管展示出明显的栅控特性以及饱和特性，ZnO薄膜沿C轴择优取向生长，且在可见光波长区域的平均透过率超过85％。