【摘 要】
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据《电子材料》1996年第10湖上报道，三菱电机公司业已开发出采用最新0．4μm工艺的第6代256k位高速SRAM和第4代1M位高速SRAM，现已开始出售样品。一般情况下，在CMO结构的SRAM中，由于
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据《电子材料》1996年第10湖上报道，三菱电机公司业已开发出采用最新0．4μm工艺的第6代256k位高速SRAM和第4代1M位高速SRAM，现已开始出售样品。一般情况下，在CMO结构的SRAM中，由于其界限定为3．3V和15us的存取时间，因此，对于3．3V和12us以下的SRAM来说，使用了BiCMOS结
According to “Electronic Materials”, reported on 10th Lake, 1996, Mitsubishi Electric Corporation has developed the 6th-generation 256k-bit high-speed SRAM and the 4th-generation 1M-bit high-speed SRAM using the latest 0.4μm process. In general, in CMO-structured SRAMs, BiCMOS junctions are used for SRAMs of up to 3.3V and 12us due to their limits of 3.3V and 15us access times
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