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气相合成金刚石膜技术的问世,使制备金刚石电子有源器件成为可能.本文将静高压法合成的大颗粒优质单晶镶嵌在纯铜板中作为基板.以乙炔和氧气为反应气体,将氧气与乙炔的体积比率R(R=O2:C2H2)控制在0.85～1.0区间.采用大气下火焰法进行了金刚石单晶膜的同质外延实验.并通过拉曼散射,扫描电镜、反射高能电子衍射对实验结果进行了检测分析,在(100)面同质外延的金刚石单晶膜上观察到了螺旋生长的现象.