【摘 要】
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利用Er~(3+)离子的特征辐射,探测出ZnS:Cu,Er,C1薄膜直流电致发光器件中沿膜厚度方向场强分布是不均匀的:有三个高场区两个低场区。并测最了这五个区域里的发光效率,得出高场
【机 构】
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利用Er~(3+)离子的特征辐射,探测出ZnS:Cu,Er,C1薄膜直流电致发光器件中沿膜厚度方向场强分布是不均匀的:有三个高场区两个低场区。并测最了这五个区域里的发光效率,得出高场区的发光效率高,低场区的发光效率低。文中对高场区的形成原因及发光效率与场强的关系进行了讨论。
Using the characteristic radiation of Er ~ (3+) ion, the field intensity distribution of ZnS: Cu, Er, C1 thin-film DC electroluminescent device is inhomogeneous along the thickness of the film: there are three low-field regions in three high-field regions. And measured the most of these five areas of luminous efficiency, high luminous efficiency of high-field area obtained, low luminous efficiency of low-field area. In this paper, the formation of high-field area and the relationship between luminous efficiency and field intensity are discussed.
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