Effect of initial precursor concentration on TiO2 thin film nanostructures prepared by PCVD system

来源 :能源化学：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aiwoba9982

【摘要】

：

<正>TiO2 thin film was prepared on Si substrate by plasma chemical vapor deposition（PCVD） system and the morphologies of TiO2 thin film were controlled by adjusti

【作者】

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Hoang Hai Nguyen Dong-Joo Kim

【机构】

：

.DepartmentofChemicalEngineering,DepartmentofChemicalEngineeringandRIC-ETTP（RegionalInnovationCenter

【出处】

：

能源化学：英文版

【发表日期】

：

2013年3期

【关键词】

：

TIO2薄膜 PCVD法浓度增加纳米结构前驱物制备系统等离子体化学气相沉积 plasma chemical vapor deposition thi

【基金项目】

：

supported by the Regional Innovation Center for Environmental Technology of Thermal Plasma(ETTP) at Inha University, designated by MKE(2009),supported from the Central Laboratory of Kangwon National U

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<正>TiO2 thin film was prepared on Si substrate by plasma chemical vapor deposition（PCVD） system and the morphologies of TiO2 thin film were controlled by adjusting the initial precursor concentration.As the initial titanium tetra-isopropoxide（TTIP）

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