论文部分内容阅读
用脉冲激光镀膜法，在不同的温度和氧压条件下，在Ｓｉ（１００）片上制备了一系列的ＣｅＯ２膜。Ｘ射线衍射分析表明，在较低的氧压下生长的ＣｅＯ２膜为（１１１）取向，在较高的氧压了生长的膜则为（１００）取向。研究表明，ＣｅＯ２膜的取向对氧压显示了独特的依赖性，氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用。讨论了氧压对ＣｅＯ２薄膜结晶取向影响的可能机理。