用低能电子衍射研究ⅢA—ⅤA化合物｛110｝表面吸附Sb和Bi的表面结构

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【摘要】

：

用低能电子衍射研究了Ｓｂ和Ｂｉ吸附在ＩｎＰ｛１１０｝和ＧａＡｓ｛１１０｝表面上表面结构。结果显示出：对Ｓｂ／ＩｎＰ｛１１０｝，表面原子层间距：ｄ１＝０．２７±０．２３Ａ（膨胀９．４％±０．０２Ａ）；旋转角ω１为－１０．７７°±２．２９°和ω２为１５．２６°±０．８２°；吸附键长ｌｃ１－Ａ＝２．８４±０．０５Ａ，ｌｃ２－Ｂ＝２．７５&#17

【作者】

：

王颖峤蓝田

【出处】

：

原子与分子物理学报

【发表日期】

：

1995年2期

【关键词】

：

ⅢA-VA化合物 {110}表面吸附锑铋 LEED谱

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