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简要分析了ＩＧＢＴ（绝缘栅双极晶体管）的工作机理，制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了测试结果，并对试制样品中辐照前后的关断特性作了详细的比较和讨论。
提高IGBT开关速度的技术
【摘 要】
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简要分析了ＩＧＢＴ（绝缘栅双极晶体管）的工作机理，制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了测试结果，并对试制样品中辐照前后的关断特性作了详细的比较和讨论。
【机 构】
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西安电力电子技术研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1999年2期
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