C频段内匹配砷化镓功率场效应晶体管

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采用离子注入,多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、Г形栅,空气桥,通孔接地和电镀热沉等先进技术,在直径50mm GaAs片上制作了总栅宽为9.6mm的功率场效应晶体管芯片。用4枚这种芯片并联,在其输入端和输出端分别加入内匹配电路,制成了C频段内匹配功率场效应晶体管,在大于500MHz的带宽内,1dB增益压缩输出功率达18W,1dB压缩增益为8.3dB,功率附加效率达30%。
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