【摘 要】
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在室温和低温下,测试了有序Ga0.52In0.48P的时间分辨光致发光谱.对实验结果的分析表明,有序GaInP的发光呈双指数规律衰退.室温下,快过程的时间常数在128～250 ps范围,低温77 K
【机 构】
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厦门大学物理系,中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室
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在室温和低温下,测试了有序Ga0.52In0.48P的时间分辨光致发光谱.对实验结果的分析表明,有序GaInP的发光呈双指数规律衰退.室温下,快过程的时间常数在128～250 ps范围,低温77 K下则都有所变慢,大约在186～564 ps范围内;慢过程的时间常数根据不同样品有很大差异,室温下大约在308～1832 ps之间变化,低温77 K下,则在纳秒量级,最长的甚至达到28 ns以上.对两个过程的时间常数随激发功率密度变化的研究表明,快过程对应于有序区域中载流子的复合,慢过程则对应于有序区域和无序区域的空间分离中心上的载流子的复合.低温下的时间分辨谱表明,发光峰随着延迟时间的变长而蓝移.
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