一种f_T为70GHz的低偏压自校准P型SiGe MODFET

来源 :微电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：masonma

【摘要】

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本文介绍一种自对性P型SiGe调制掺杂的场效应晶体管（MODFET’S）的新工艺，该工艺生产的器件保留了常规MODFET’S的高的调制效率，又克服了常规SiGeMOD-FET的开启电阻高的问题。自校

【作者】

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张晓雪

【出处】

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微电子技术

【发表日期】

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1998年3期

【关键词】

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MODFET 自校准欧姆接触低偏压最大振荡频率 P型截止频率栅电阻加工方法本征跨导

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本文介绍一种自对性P型SiGe调制掺杂的场效应晶体管（MODFET’S）的新工艺，该工艺生产的器件保留了常规MODFET’S的高的调制效率，又克服了常规SiGeMOD-FET的开启电阻高的问题。自校准MOD－FET需要制作布线图案以及在欧姆接触形成以前进行栅金属的蒸发。这就需要一种烧结温度不高的欧姆接触加工方法。栅金属也应提供一个很低的栅电阻，同时经受任欧姆接触所需的温度，而仍具有良好的整流特性。为了满足这些要求，T型栅是需要的。为了避免触及栅的伸出部分，欧姆接触金属层在厚度上是受到严格限制的。1器件结构

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