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室温300 K下,由于AlxGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到AlN的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料。高质量高铝组分AlxGa1-xN材料生长的一大困难就是AlxGa1-xN与常用的蓝宝石衬底之间大的晶格失配和热失配。因而采用MOCVD在GaN/蓝宝石上生长的AlxGa1-xN薄膜由于受张应力作用非常容易发生龟裂。GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层技术是释放应力和减少AlxGa1-xN薄膜中缺陷的有效方法。研究了GaN/Alx