Large-signal characterizations of DDR IMPATT devices based on group Ⅲ-Ⅴ semiconductors at millimeter

来源 :半导体学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：my2002hhl

【摘要】

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Large-signal(L-S) characterizations of double-drift region(DDR) impact avalanche transit time(IMPATT)devices based on group III–V semiconductors such as wurtzi

【作者】

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Aritra Acharyya Aliva Mallik D

【机构】

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InstituteofRadioPhysicsandElectronics,SupremeKnowledgeFoundationGroupofInstitutions

【出处】

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半导体学报：英文版

【发表日期】

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2014年8期

【关键词】

：

半导体材料太赫兹毫米波 DDR 大信号频率雪崩表征 DDR IMPATTs GaN group Ⅲ-Ⅴ large-signal simulat

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Large-signal(L-S) characterizations of double-drift region(DDR) impact avalanche transit time(IMPATT)devices based on group III–V semiconductors such as wurtzite(Wz) GaN, GaAs and InP have been carried out at both millimeter-wave(mm-wave) and terahertz(TH

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