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用直流磁控溅射法在190 ℃玻璃基底上制备了氧化铟锡（ITO）薄膜,利用荧光分光光度计研究了ITO薄膜的光致发光性能。结果表明,室温下ITO薄膜在波长250 nm光源的激发下，分别在467 nm和751 nm处观察到了发光强度较强的蓝光宽带和强度较弱的红光带。上述发光峰的出现分别和ITO薄膜中的氧空位、铟空位等缺陷在禁带中形成的能级有关，其中氧空位形成的施主能级位于导带下1.2 eV处，而铟空位形成的受主能级位于价带下1.65 eV处。