【摘 要】
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使用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计一个低电压折叠式共源共栅结构低噪声放大器（LNA）。利用性能系数FoM（Figure of Merit）衡量其整体性能,并通过仿真找到使FoM最大的偏置电压。使
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使用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计一个低电压折叠式共源共栅结构低噪声放大器（LNA）。利用性能系数FoM（Figure of Merit）衡量其整体性能,并通过仿真找到使FoM最大的偏置电压。使用Cadence Spectre RF仿真表明,在0.9V电源下,2.4GHz处的反射系数良好,噪声系数NF仅为0.82dB,正向增益S21为18.84dB,三阶互调点IIP3为-10.3dBm,功耗仅为5.12mW,表明该文方法可以为窄带LNA设计提供指导。
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