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沉积和离子散射对亚微米SiO2刻蚀剖面控制的影响
沉积和离子散射对亚微米SiO2刻蚀剖面控制的影响
来源 :微电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:longlivewebdynpro
【摘 要】
:
本文阐述了在亚微米接触孔,通孔及沟槽的SiO2刻蚀工艺中,沉积和离子散射对剖在贩影响。对多层结构SiO2的刻蚀也进行了研究。
【作 者】
:
Shan.
H
李祥
【出 处】
:
微电子技术
【发表日期】
:
1995年6期
【关键词】
:
沉积
离子散射
二氧化硅
刻蚀
多层互连工艺
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本文阐述了在亚微米接触孔,通孔及沟槽的SiO2刻蚀工艺中,沉积和离子散射对剖在贩影响。对多层结构SiO2的刻蚀也进行了研究。
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