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对于实际有机静电感应晶体管（Organic Static Induction Transistor，简称OSIT）器件，采用Marc有限元法建立物理模型，选取合适的结构参数，对OSIT导电沟道内的电势进行离散化数值分析．依据导电沟道内的电势分布，分析沟道宽度变化对OSIT工作特性的影响．在恒定栅压和漏压下，宽度的增大会使栅极对鞍部点控制能力减弱，沟道内势垒降低，从而导致工作电流的增大．该结论可为如何获取良好的OSIT输出特性提供依据．