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采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝（TMAl）流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。
GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系
【摘 要】
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采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝（TMAl）流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TM
【机 构】
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单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2011年1期
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