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用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｓ９００Ａ型半导体自动参数测试仪测量了用ＭＯＣＶＤ方法生成的ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结样品的界面Ｃ－Ｖ的分布。用多项式逐段拟合的方法，转化得到界面浓度的分布，最后计算得到该体系的价带不连续性ΔＥｖ为３１６ｍｅＶ，约相当于０．６９ΔＥｇ。
InGaP／GaAs异质结价带不连续性的直接测量
【摘 要】
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用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｓ９００Ａ型半导体自动参数测试仪测量了用ＭＯＣＶＤ方法生成的ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结样品的界面Ｃ－Ｖ的分布。用多项式逐段拟合的方法，转化得到界面浓度的分布，最后计算得到该体系的价带不连续性ΔＥｖ为３１６ｍｅＶ，约相当于０．６９ΔＥｇ。
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1999年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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