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电气化铁路牵引站备自投方案的再思考
【出 处】
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新疆电力技术
【发表日期】
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2020年1期
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作为一种新型的直接带隙半导体材料，ZnO具有大的禁带宽度3.37eV和高的激子束缚能60meV，同时，ZnO可通过适当的金属元素掺杂，在对其晶格结构影响较小的前提下，使ZnO的带隙宽度在一定范围内连续可调从而影响其发光性能。因此，ZnO基半导体材料在短波长紫外发光器件、量子阱和超晶格结构中蕴涵着巨大的应用前景从而成为当前国内外研究的热点之一。该论文采用溶胶—凝胶技术和正交设计实验法在Si(110)
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ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体材料，它具有比GaN更高的激子束缚能，容易实现室温紫外受激发射，在紫光发光(激光)二极管、薄膜晶体管、紫外探测器等领域有广阔的应用前景。目前，国内外许多学者已经在开展以ZnO为有源沟道层的薄膜晶体管的研究工作。这种薄膜晶体管的优点是：制备温度较低，对衬底材料要求不高；而且可以制作成全透明的薄膜晶体管，如果将其应用于有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中，将降低TFT-L
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