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采用RF辅助加热CVD方法,在76 mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜.设备为电容耦合式RF(13.56 MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长.对样品进行了XRD、AFM检查;退火后整个样片膜厚均匀、一致性好、应力低、与衬底的粘附性好.