论文部分内容阅读
本文利用六甲基二硅氧烷（HMDSO）作为先驱物质、氢气为稀释气体，进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明，在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米α-SiC沉积，碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy：H成分中。薄膜由椭球状的颗粒组成，且随着HMDSO比例的增加，薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善。高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了α-SiC晶体的形成。