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西安理工大学电子工程系＆陕西省新型半导体材料与设备工程研究中心碳化硅研究组从事半导体碳化硅晶体生长技术及生长设备研究开发10余年，开发成功具有自主知识产权的TDL16型碳化硅晶体生长设备和生长工艺，并成功制备出多个直径46-58mm的6H-SiC体单晶。
西安理工大学电子工程系＆陕西省新型半导体材料与设备工程研究中心
【摘 要】
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西安理工大学电子工程系＆陕西省新型半导体材料与设备工程研究中心碳化硅研究组从事半导体碳化硅晶体生长技术及生长设备研究开发10余年，开发成功具有自主知识产权的TDL16型碳
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年7期
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