【摘 要】
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本工作研制适合于在0.5～1.1μm和0.55～0.75μm波段内工作的硅PIN光电二极管。叙述了器件的设计考虑和制造,分别采用双面扩散和高阻外延片单面扩散两种方法制造该器件,达到了预
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所
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本工作研制适合于在0.5～1.1μm和0.55～0.75μm波段内工作的硅PIN光电二极管。叙述了器件的设计考虑和制造,分别采用双面扩散和高阻外延片单面扩散两种方法制造该器件,达到了预期的要求。文中给出了器件的光谱响应、暗电流、探测率,响应速度及响应均匀性等结果,并进行了讨论。研制出的器件性能良好,探测率D*为7×10~(12)cmHz~(1/2)/w左右。
This work developed for the 0.5 ~ 1.1μm and 0.55 ~ 0.75μm band work of the silicon PIN photodiode. Described the device design considerations and manufacturing, respectively, using double-sided diffusion and high-impedance epitaxial wafer diffusion of two methods to manufacture the device to meet the expected requirements. The results of spectral response, dark current, detection rate, response speed and response uniformity of the device are given and discussed. The developed device has good performance, detection rate D * is about 7 × 10 ~ (12) cmHz ~ (1/2) / w.
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