【摘 要】
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在MOS由非平衡深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷是恒定的,则空间电荷区宽度的瞬态特性W(t)将提供少子的体产生寿命τ及表面产生速度S的信息;用指数衰减
【机 构】
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北京大学计算机科学技术系,北京大学计算机科学技术系
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在MOS由非平衡深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷是恒定的,则空间电荷区宽度的瞬态特性W(t)将提供少子的体产生寿命τ及表面产生速度S的信息;用指数衰减函数比较法可以直接由W-t曲线确定τ、S,省去了Zerbst方法的繁琐作图程序.
In the process of recovering from a non-equilibrium depletion state to a balanced inversion mode, if the total charge of the MOS system is constant, the transient characteristic W (t) of the width of the space charge region will provide the body-generated lifetime τ And the surface speed of S information; exponential decay function comparison method can be directly determined by the Wt curve τ, S, eliminating the cumbersome Zerbst mapping process.
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