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采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究．极图研究表明，低温GaN薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶．在X固定为55°时的{111}φ扫描中发现了异常的Bragg衍射峰，表明GaN／GaAs(001)低温生长中孪晶现象非常明显．OaAs(001)表面上出现的{111}小面极性会在生长初期影响孪晶成核，实验结果表明孪晶更易在{111)B面即N面上成核。