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针对目前应用广泛的三相逆变器的功率损耗,提出了一种基于系统仿真的逆变器损耗分析方法。利用器件厂家提供的损耗特性曲线,推导出相应的器件损耗参数,利用简化的损耗模型计算功率模块损耗。仿真和实验结果表明,方法简单有效,通用性好,对绝缘栅双极晶体管（IGBT）和功率场效应晶体管（MOSFET）及其他半导体功率器件均适用。