【摘 要】
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研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺。采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整，在光学显微镜下观察没有划伤，采用New View 5000^TM测得抛光后晶片的表面粗糙度R0为8．752n
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西凯光电子材料技术发展有限责任公司
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研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺。采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整，在光学显微镜下观察没有划伤，采用New View 5000^TM测得抛光后晶片的表面粗糙度R0为8．752nm。采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度。通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值，计算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26．7μm。
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