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随着存储器在芯片中变得越来越重要和半导体工艺到了深亚微米（deep-sub-micron，DSM）时代，对存储器的故障测试变得非常重要，存储器内建自测试（memory built-in self-test，MBIST）是一种有效测试嵌入式存储器的方法；给出了一种基于LFSR的存储器内建自测试电路设计，采用LFSR设计的地址生成器的面积开销相当小，从而大大降低了整个测试电路的硬件开销；16×32b SRAM内建自测试电路设计实验验证了此方法的可行性，与传统的方法相比，它具有面积开销小、工作速度快和