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通过准二维的方法，求出了全耗尽SOI LDMOS晶体管沟道耗尽区电势分布的表达式，并建立了相应的阈值电压模型。将计算结果与二维半导体器件模拟软件MEDICI的模拟结果相比较，两者误差较小，证明了本模型的正确性。从模型中可以容易地分析阈值电压与沟道浓度、长度、SOI硅膜层厚度以及栅氧化层厚度的关系，并且发现△Vth与背栅压的大小无关。