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用单能慢正电子束流作为探针，测量了Ｐ型Ｓｉ中不同Ｂ杂质浓度的正电子湮没Ｓ参数和正电子能量的函数关系。在实验上系统地研究了正电子扩散长度和迁移率随半导体中杂质浓度的变化规律，观察到杂质的掺入不影响缺陷的开体积，但正电子在硅中的迁移率随杂质浓度的增加而减小。
用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率
【摘 要】
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用单能慢正电子束流作为探针，测量了Ｐ型Ｓｉ中不同Ｂ杂质浓度的正电子湮没Ｓ参数和正电子能量的函数关系。在实验上系统地研究了正电子扩散长度和迁移率随半导体中杂质浓度的变化规律，观
【机 构】
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中国科学技术大学,中国科学院国际材料物理中心
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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2000年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金!19745002和19875050,,教育部留学回国人员科研资助费,,中国科学院院长基金
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