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研究了以 WO_3为靶材,采用射频磁控溅射沉积 WO_y 电致变色膜。并对 WO_y 膜的沉积速率、光学常数及电致变色特性等与沉膜工艺参数之间的关系进行了测量研究。
射频磁控溅射电致变色氧化钨薄膜
【摘 要】
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研究了以 WO_3为靶材,采用射频磁控溅射沉积 WO_y 电致变色膜。并对 WO_y 膜的沉积速率、光学常数及电致变色特性等与沉膜工艺参数之间的关系进行了测量研究。
【机 构】
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东南大学薄膜研究所,东南大学薄膜研究所南京210018,南京210018
【出 处】
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光电子技术
【发表日期】
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1994年3期
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