【摘 要】
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由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势,一直是光电子集成(OEIC)工程应用的首选材料.但由于体材料Si是一种间接带隙半导体,不可能成为有效的光发
【基金项目】
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国家自然科学基金，信息产业部科研项目
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由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势,一直是光电子集成(OEIC)工程应用的首选材料.但由于体材料Si是一种间接带隙半导体,不可能成为有效的光发射体.如何通过已有的物理学原理和可行的微加工技术把它改造成为有效的发光材料,甚至成为严格意义上的直接带隙材料,给实验研究工作者和材料设计理论工作者提出了挑战.除多孔Si之外,最近已有若干令人鼓舞的方案,包括Si纳米晶、Si/O超晶格和注硼位错工程等方法,实现了Si基材料的有效发光试验.本文在分析其中最令人关注的进展的基础上,认为要实现
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