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本文用分子束弛豫谱研究了Ge(111)表面与氯分子热反应动态学。采用种子束技术,发现增加氯分子的入射平动能,将有效地增加Cl_2与Ge表面的化学蚀刻反应。对分子束弛豫谱的数据分析表明,在表面温度T_s为700—900K的范围内,GeCl_2为该反应体系的唯一产物,它的脱附过程是蚀刻反应的速率控制步骤;并且测得脱附活化能E_d为66.0±2.0kJ·mol~(-1)。此外,对该化学蚀刻的反应机理进行了讨论。