快速热退火硅中微缺陷分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bo0316
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本文通过高剂量注砷硅的一系列快速热退火实验,分析了注入晶格损伤恢复情况和二次缺陷生长过程。在实验结果的基础上综合研究了快速热退火硅中的微缺陷过程。 In this paper, through a series of rapid thermal annealing experiments of high-dose arsenic-arsenic implantation, the recovery of lattice damage and the growth of secondary defects were analyzed. Based on the experimental results, the microdefects in the rapid thermal annealing of silicon were comprehensively studied.
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