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采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。
PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析
【摘 要】
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采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。
【机 构】
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华南理工大学应用物理系,信息产业部电子五所数据中心,华南理工大学机电工程系,广东省电子技术学校
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2002年07期
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