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在SOI材料上采用钴自对准硅化物技术,研究了减薄后的SOI上钴溅射厚度的优化问题,着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而硅膜厚度变化对硅化物形成后薄层电阻的影响。实验表明,采用Tco:Tsi≈1:3.6的近似方法优化钴度膜厚度,会得到薄层电阻最低的硅化接触,改善其接触特性。