【摘 要】
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通过高压反应釜辅助水相法快速且低成本地合成了荧光量子产率高、粒径均匀、纯度高以及光稳定良好的掺杂Zn的CdTe量子点,不仅降低了CdTe量子点的毒性,而且减少了对环境的污染
【机 构】
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天津工业大学环境与化学工程学院,天津,300387
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通过高压反应釜辅助水相法快速且低成本地合成了荧光量子产率高、粒径均匀、纯度高以及光稳定良好的掺杂Zn的CdTe量子点,不仅降低了CdTe量子点的毒性,而且减少了对环境的污染.并且通过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外分光光度计和荧光分光光度计对产物进行了表征.同时通过单因素实验,在制备过程中对CdTe∶ Zn量子点的合成条件(包括pH、反应温度、反应物中Cd与Te,Cd与Zn的比例和配体巯基丙酸(MPA)含量等)进行优化得到了最佳的合成条件,即摩尔比Cd∶ Te∶ MPA=1.0∶0.5∶2.4,摩尔比Cd∶ Zn=1.0∶1.0,pH =11和T=120℃,通过优化CdTe∶ Zn量子点的合成条件不仅提高了纳米晶的质量,而且大幅度缩短了制备量子点的周期,且通过与CdTe量子点的比较得出掺杂Zn后量子点的生长速度和荧光强度均会提高.最后,采用外延生长法,在CdTe∶ Zn核的表面包裹一层有更宽带隙的半导体材料ZnS,消除了量子点表面的悬空键及表面缺陷,并且对CdTe∶ Zn/ZnS量子点进行了紫外和荧光表征,通过与CdTe∶ Zn量子点的比较得出ZnS的加入进一步提高了量子点的荧光强度和光稳定性.
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