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<正> 一、我国光掩模技术的发展回顾我国的光掩模制作始于60年代中期,比国外晚5～6年。当年采用传统的照相术及手摇光刻机开展工作,硅片材料只有1英寸～2英寸,制版光刻精度和特征尺寸为几十微米。利用当时的掩模制作工艺,先后成功地研制出硅平面晶体管和硅数字集成电路。70年代,我国开始引进一批大型绘图机、大型照相机和可在超微粒干版上曝光的e线分步重复精缩机。这时采用的硅片材料为2英寸～3英寸,制版光