相移掩模相关论文
本文介绍了分辨率增强技术(RET)对65nm-45nmArF光刻性能的影响.通过某种RET技术或它们的结合应用,利用PROLITH和自主开发的光刻仿......
微电子技术正向深亚微米、纳米方向发展.而电子束掩模制造技光设备由于波长短,位置控制精度高,而具备制作精确图形的优势.电子束的......
本文简要介绍一种用无铬相移掩模技术制作光纤光栅的原理和方法.系统中采用可移动反射镜使激光束沿排模-光纤组合体扫描,逐次曝光......
中心遮拦对157nm光刻性能的影响值得研究。本文通过光刻仿真软件PROLITH 中的向量衍射模型对影响进行定性分析。仿真试验主要针对......
基于霍普金斯（Ｈｏｐｋｉｎｓ）理论，通过计算０．３５μｍ方孔的传统透射掩模、边缘相移掩模部分边缘相移掩模、辅助相移掩模以及衰减相移掩模的硅片表面空间像......
详细研究了离轴掩模的原理 ,将离轴照明 (OAI)与相移掩模 (PSM)技术结合起来 ,在掩模上同时实现两种功能 ,较大程度地提高了光刻分......
研究了交替型相移掩模及离轴照明对65nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,分别选用传统掩模和交替型......
本文介绍当前最前沿的几种分辨率增强技术的基本原理及开发应用的现状，如离轴照明，光学邻近效应校正，辅助图形和相移掩模。这些方法连......
本文简要介绍一种用无铬相移掩模技术制作光纤光栅的原理和方法.系统中采用可移动反射镜使激光束沿排模-光纤组合体扫描,逐次曝光......
本文介绍我们把相移掩模光刻技术和准分子激光光刻技术结合起来进行的进一步提高光刻分辨力,扩展光学光刻极限的研究.包括Levenson......
深紫外ＫｒＦ准分子激光光刻技术对于提高光刻分辨率，发展光启程技术极限，具有重要的意义。微细加工光学技术国家重点实验室研制了一套ＫｒＦ准分......
研究了在相移掩模下利用偏振光照明的分辨力极限。结果表明利用光的偏振特性可以进一步提高光刻分辨力。......
该研究中，将离轴照明与相移掩模技术结合起来，在掩模上同时实现两种功能，可较大程度提高光启程分辨力，实验表明，在数值孔径０．４２，ｉ线曝光波长下......
讨论相移掩模提高光刻分辨率的基本原理和物理机理。导出了光刻成像的计算机模拟公式，介绍了我们自行设计、建立的ＫｒＦ准分子激光相移光......
该文在分析投影成像系统的部分相干成像理论的基础上,分析了相移掩模技术、光学邻近效应校正技术和双曝光技术提高光刻分辨率和扩......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
随着现代微电子技术向高集成度超微细化方向发展 ,为提高制作微细图形的光刻设备所能达到的光刻分辨力水平 ,在设备不更新的情况下......
:本文介绍了一种与传统Cr掩模制作工艺相兼容的单层衰减相移掩模的结构、原理和制作方法 ,提供了部分实验结果。
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讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理 ,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法 ,利用自行设计、建立的 Kr F准分子......
相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高......
为了采用曝光波长为０．３６５ｍ的光源制作０．３５－０．３０μｍ图形。采用了ｉ线步进方法，并研制了相移掩模。该掩模是由相移法构成图形，同时采用了光的干涉方法进行......
设计并实现了一种暗域相移掩模（PSM）问题的并行算法。首先根据“分而治之”的原则，将输入版图划分为若干尺寸较小的、易于解决的子版......
随着超大规模集成电路制造进入深亚微米时代,版图上相邻特征区域的光刻质量受光学临近效应的影响越来越大。交替型相移掩模技术通......
《科学美国人》与英特尔公司创建人之一戈登·穆尔访谈录（３）程永来译方韧校这位微处理器先驱探索了保持计算机革命不断向前发展所......
本文评述了激光光刻可能采取的方式及其待解决的问题,并对相移掩模技术作了概要的介绍。......
本文将报导我们编制相移掩模模拟软件有关工作，分析其中几个重要参数的影响，同时在非相干，部分相干，以及干相光照明下对曝光线条边角的......
本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学......
本文阐述相移掩模技术研究中，常用的几种主要相移掩模制作方法，重点介绍了无络ＰＳＭ、Ｌｅｖｅｎｓｏｎ交替型ＰＳＭ、边级ＰＳＭ、亚分辨辅助ＰＳＭ以及激光直写制作ＰＳＭ的方法。......
根据所需光刻图形的分布，反推掩模结构的思路，提出了一种基于交替投影算法的掩模设计方法。该方法设计出的掩模为振幅和相位连续。并......
相移掩模方法是一种新的光刻技术，它可以提高现有光刻设备的分辨率，使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了......
简述相移掩模的基本原理，提出了用相移掩模光刻技术制作大相对孔径的二元透镜的设想，通过数据模拟对相移掩模光刻技术做了探讨，给出了......
提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术（Ⅱ）罗先刚陈旭南姚汉民（中国科学院光电技术研究所，成都６１０２０９）４相移掩模技术［５］相移掩模（ｐｈａｓｅｓｈｉｆｔｍａｓｋ，ＰＳＭ）最初由美国的Ｍ．Ｄ．Ｌｅｖｅｎｓｏｎ于......
详细研究了离轴掩模的原理，将离轴照明（OAI）与相移掩模（PSM）技术结构起来，在掩模上同时实现两种功能。较大程度地提高了光刻分辨力。实验......
讨论了一个用于相移掩模智能设计的专家系统。这个系统包括输入输出系统，仿真系统，知识库系统，人—机接口，黑板系统。它有一个包括图形......
讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理，提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法，利用自行设计、建立的ＫｒＦ准分子激光投影光......
针对现代光刻中，超大数值孔径的情况下，通过简单的傅里叶衍射理论模拟掩模的传递函数的方法不够精确，必须得考虑倾斜照明带来的阴影效......
研究了交替型相移掩模及离轴照明对65 nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,分别选用传统掩模和交替型......
针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适......
首先通过对０．３５μｍ接触方孔在不同相移掩模情况下硅片表面空间象光强分布的模拟计算，得出不同相移掩模情况下的最优相移参数。在几种相移......
提出了一种新的用于加速130nm以下工艺交替式相移掩模设计流程的版图划分方法，该方法能够自适应调整版图划分的粒度．讨论了消除相位......
本文对目前用于提高亚半微以影光刻机成像分辨力、增大焦深的一些新技术；大数值孔径和短波长技术、倾斜照明技术、相移掩模技术、光......
从Ｈｏｐｋｉｎｓ公式出发，分析部分相干因子σ的物理意义，同时主要讨论在建立相移掩软件中部分相干因子σ的应用。......
“微细加工光学技术国家重点实验室”简介ＡＢｒｉｅｆＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｔｏｔｈｅＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＯｐｔｉｃａｌＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒＭｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室.........
本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一......
用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合......
最近Semiconductor International与里德调研公司合作,向光刻工作者调查了对下一代光刻技术的要求与前景展望。果然不出所料,受访......
随着大规模集成电路技术的飞速发展,掩模分辨率增强技术变得越来越重要。介绍了掩模分辨率增强技术中的相移掩模技术、光学邻近效......
