【摘 要】
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制成了用于光通信的快速、高辐射度GaAs/GaAlAs双异质结发光二极管(DHLED)。该器件带有光波导结构并具有适当掺杂和有源层厚度。其频响大于60MHz。最高辐射度为1017W/sr·cm~2。在150mA下尾纤输出功率达118μW,与光纤的耦合效率为11％(纤维芯径为φ=60μm,数值孔径为NA=0.17)。
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制成了用于光通信的快速、高辐射度GaAs/GaAlAs双异质结发光二极管(DHLED)。该器件带有光波导结构并具有适当掺杂和有源层厚度。其频响大于60MHz。最高辐射度为1017W/sr·cm~2。在150mA下尾纤输出功率达118μW,与光纤的耦合效率为11％(纤维芯径为φ=60μm,数值孔径为NA=0.17)。
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