【摘 要】
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采用45 nm SOI CMOS工艺,设计了一种应用于毫米波系统的宽调谐范围VCO.采用具有高Q值且长度可灵活设计的开关耦合传输线(SCTL)作为谐振腔电感,通过控制耦合开关改变传输线的
【机 构】
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华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海,200241;华东师范大学上海市多维度信息处理重点实验室,上海,200241
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采用45 nm SOI CMOS工艺,设计了一种应用于毫米波系统的宽调谐范围VCO.采用具有高Q值且长度可灵活设计的开关耦合传输线(SCTL)作为谐振腔电感,通过控制耦合开关改变传输线的等效感值,在保持低相位噪声、不增加功耗和面积的情况下,提高了VCO的调谐范围.后仿真结果表明,不使用耦合开关的TL-VCO的调谐范围为45.6～57.1 GHz(22.4％),SCTL-VCO的调谐范围为42.25～59.92 GHz(34.6％).相比TL-VCO,SCTL-VCO的调谐范围增大了53.7％.在整个调谐范围内,相位噪声为-112.1～-120.4 dBc/Hz@10 MHz,相应的FOM和FOMT分别为-178.3～-182.6 dBc/Hz和-189.1～-193.4 dBc/Hz,电源电压为0.7V,VCO核心功耗为8.6～10.8 mW,面积为0.005 4 mm2.
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