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用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ三元半导体合金薄膜。在室温下测量了这些样品的红外反射光谱，采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并与测量结果作了比较。
Zn1—xMgxSe外延半导体合金薄膜的红外反射光谱研究
【摘 要】
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用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ三元半导体合金薄膜。在室温下测量了这些样品的红外反射光谱，采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并与
【机 构】
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复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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1997年6期
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