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研究了90nmCMOS工艺下4nm超薄栅氧化层LDDnMOSFET中漏电压VD对栅调制产生电流‰的影响，随着VD的增加，IGD曲线上升沿不变，而下降沿向右漂移，这归因于VD增大引发了闽值电压增大所致。研究发现IGD下降沿最大跨导GMW随着VD的变化成幂指数关系：GMW=VDn，n=0．08。进一步发现电流上升沿与下降沿最大跨导所对应的栅电压VG差与VD成线性关系，斜率为1．19。文中给出了相关的物理机制。