论文部分内容阅读
利用射频磁控反应溅射方法，以A1—Tm舍金为靶材，Si（100）为衬底，制备了铕（Tm）掺杂的氮化铝（AlN）薄膜．利用X-射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）研究了退火温度对样品结晶形态和表面粗糙度的影响．XRD测试结果表明，经高温退火处理后的样品具有良好的（100）择优取向；AFM测试表明，适当温度退火后的薄膜更加致密、平整；X-射线能量谱（EDs）测试表明，薄膜主要组分为AI、N、O、和C元素，但C、O主要吸附于薄膜表面，Al和N的含量接近于AIN的化学计量比；光致发光光谱（PL）测试表明，