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采用XeCl脉冲准分子激光器，保持激光脉冲比为1：2，分时烧蚀Er靶和高阻抗单晶Si靶。改变激光能量，在真空中沉积了掺Er非晶Si薄膜。在氮气保护下，分别在950℃，1010℃和1100℃温度下进行30min热退火处理，得到掺Er纳米晶Si薄膜。扫描电子显微镜的结果表明，高的退火温度或高的激光能量均会导致迷津结构的形成。