超高真空CVD生长锗硅外延层的应变弛豫

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用超高真空CVD技术在780℃生长了锗硅外延层及组分渐变缓冲层,并利用双晶X射线衍射仪研究了缓冲对外延层晶体质量的影响。结果表明,衬底与外延之间生长了组分几乎线性渐变的缓冲层,提高了外延层的晶体质量。
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