【摘 要】
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在对自蔓延高温合成方法制得的AIN 晶须形态研究的基础上,采用高分辩电镜等技术,对AIN晶须进行了生长机理研究,结果表明,晶须头部的小液滴显示氮化铝晶须可由VLS机制生成。光滑晶须头部的
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室!上海200050,中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室!上海200050,中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超
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在对自蔓延高温合成方法制得的AIN 晶须形态研究的基础上,采用高分辩电镜等技术,对AIN晶须进行了生长机理研究,结果表明,晶须头部的小液滴显示氮化铝晶须可由VLS机制生成。光滑晶须头部的出现、过饱和度与晶须直径的关系、侧面的二次生长、生长台阶的出现,这些都说明VS机制在起作用。虽然在AIN晶须中发现层错和位错,但经过分析认为,它们都不是氮化铝晶须的生长机制。
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